КТ315

КТ315, КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Г1, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И, КТ315Н, КТ315Р

Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор для работы в схемах усилителей высокой, промежуточной и низкой частоты

Документы

Этикетка

87 k, DJVU

Технические условия (1974)

1.5 M, PDF

Описание

Чертеж корпуса транзистора КТ315

Кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n транзисторы общего применения. Комплементарная пара: КТ361. Вид климатического исполнения УХЛ.

Транзисторы КТ315 имеют буквенные индексы от А до Р. Помимо стандартного распределения по коэффициенту передачи тока и максимальному напряжению, часть транзисторов КТ315Ж, И, Н, Р имеет специальное назначение:

КТ315Ж отбирается по времени рассасывания.
КТ315И первоначально предназначались для работы в цепях коммутации сегментов вакуумных люминесцентных индикаторов.
КТ315Н предназначались для применения только в цветном телевидении. При этом "транзистор КТ315Н по высшей категории качества не аттестован".
КТ315Р проходят электротермотренировку и предназначены для применения только в видеомагнитофонах "Электроника-ВМ".

Модернизированный вариант транзисторов КТ315А1-КТ315Р1 выпускается белорусским предприятием "Интеграл" в корпусе ТО-92.

Маркировка

Транзистор КТ315 маркируется буквенным индексом (одна буква от А до Р), нанесенным на лицевой стороне слева (в отличие от КТ361, в котором буквенная маркировка наносится посредине, а также иногда отмечается двумя полосками по бокам).

Наличие точки в составе маркировки является отличительным знаком транзисторов, предназначенных для цветного телевидения. При этом допускается применение в другой аппаратуре.

Параметры

Параметр		КТ315А	КТ315Б	КТ315В	КТ315Г	КТ315Г1	КТ315Д	КТ315Е	КТ315Ж	КТ315И	КТ315Н	КТ315Р
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_CBO	<25 В	<20 В	<40 В	<35 В	<35 В	<40 В	<35 В	<20 В	<60 В	<20 В	<35 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<25 В	<20 В	<40 В	<35 В	<35 В	<40 В	<35 В	<20 В	<60 В	<20 В	<35 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<150 мВт	<100 мВт	<100 мВт	<100 мВт	<100 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	30 ~ 120	50 ~ 350	30 ~ 120	50 ~ 350	100 ~ 350	20 ~ 90	50 ~ 350	30 ~ 250	>30	50 ~ 350	150 ~ 350
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open	I_CB-R	<500 нА	<500 нА	<500 нА	<500 нА	<500 нА	<600 нА	<600 нА	<10 нА	<100 нА	<600 нА	<500 нА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<250 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN