BC846

BC846, BC846,215, BC846A,215, BC846A,235, BC846A-7-F, BC846AE6327, BC846AE6433, BC846ALT1, BC846ALT1G, BC846ALT3G, BC846AMTF, BC846AT,115, BC846A-TP, BC846AW,115, BC846AW,135, BC846AW-7-F, BC846AWT1, BC846AWT1G, BC846B, BC846B,215, BC846B,235, BC846B-7-F, BC846BB5003, BC846BE6327, BC846BE6433, BC846BLT1, BC846BLT1G, BC846BLT3G, BC846BMTF, BC846BT,115, BC846B-TP, BC846BW,115, BC846BW,135, BC846BW-7-F, BC846BWE6327, BC846BWT1G, BC846CMTF, BC846T,115, BC846W,115, BC846W,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		BC846,215	BC846A,215	BC846A,235	BC846A-7-F	BC846AE6327	BC846AE6433	BC846ALT1	BC846ALT1G	BC846ALT3G	BC846AMTF	BC846AT,115	BC846A-TP	BC846AW,115	BC846AW,135	BC846AW-7-F	BC846AWT1	BC846AWT1G	BC846B	BC846B,215	BC846B,235	BC846B-7-F	BC846BB5003	BC846BE6327	BC846BE6433	BC846BLT1	BC846BLT1G	BC846BLT3G	BC846BMTF	BC846BT,115	BC846B-TP	BC846BW,115	BC846BW,135	BC846BW-7-F	BC846BWE6327	BC846BWT1G	BC846CMTF	BC846T,115	BC846W,115	BC846W,135
Корпус микросхемы	Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3	SOT-23	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	EMT3 (SOT-416, SC-75-3)	SOT-23	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	EMT3 (SOT-416, SC-75-3)	SOT-23	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	EMT3 (SOT-416, SC-75-3)	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3
Производитель	Производитель	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Infineon Technologies	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	NXP Semiconductors	Micro Commercial Co	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Diodes Inc	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	NXP Semiconductors	Micro Commercial Co	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Infineon Technologies	ON Semiconductor	Fairchild Semiconductor	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<65 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<200 мВт	<250 мВт	<200 мВт	<300 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<310 мВт	<150 мВт	<225 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<310 мВт	<250 мВт	<250 мВт	<300 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<310 мВт	<150 мВт	<225 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<330 мВт	<225 мВт	<310 мВт	<150 мВт	<200 мВт	<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>140Ic, Vce = 10µA, 5V	>140Ic, Vce = 10µA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>250Ic, Vce = 10µA, 5V	>250Ic, Vce = 10µA, 5V	>250Ic, Vce = 10µA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>250Ic, Vce = 10µA, 5V	>200Ic, Vce = 2mA, 5V	>420Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V	>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA	<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<200 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<250 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<250 МГц	<100 МГц	<300 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<15 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<15 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)