На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC848A-7-F | BC848AE6327 | BC848ALT1 | BC848ALT1G | BC848AMTF | BC848A-TP | BC848AW-7-F | BC848B,215 | BC848B,235 | BC848B-7-F | BC848BE6327 | BC848BE6433 | BC848BL3E6327 | BC848BLT1 | BC848BLT1G | BC848BLT3G | BC848BMTF | BC848BT116 | BC848B-TP | BC848BW-7-F | BC848BWE6327 | BC848BWT1 | BC848BWT106 | BC848BWT1G | BC848C-7-F | BC848CB6327 | BC848CE6327 | BC848CE6433 | BC848CLT1 | BC848CLT1G | BC848CMTF | BC848CT116 | BC848C-TP | BC848CW-7-F | BC848CWE6327 | BC848CWT1G | BC848W,115 | BC848W,135 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы  | Корпус  | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23 | SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-323 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | SC-70-3, SOT-323-3 | 
Производитель  | Производитель  | Diodes Inc | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Micro Commercial Co | Diodes Inc | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | Diodes Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Diodes Inc | Infineon Technologies | ON Semiconductor | Rohm Semiconductor | ON Semiconductor | Diodes Inc | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Rohm Semiconductor | Micro Commercial Co | Diodes Inc | Infineon Technologies | ON Semiconductor | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | 
Тип монтажа компонента на плату или в схему  | Монтаж  | Поверхностный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора  | IC  | <100 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера  | UCEO  | <30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора  | PC  | <300 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <310 мВт | <225 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <250 мВт | <300 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <310 мВт | <350 мВт | <225 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <225 мВт | <200 мВт | <225 мВт | <300 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <310 мВт | <350 мВт | <225 мВт | <200 мВт | <250 мВт | <225 мВт | <200 мВт | <200 мВт | 
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора  | hFE  | >220Ic, Vce = 2mA, 5V | >140Ic, Vce = 10µA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >330Ic, Vce = 2mA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >250Ic, Vce = 10µA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >200Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >480Ic, Vce = 10µA, 5V | >420Ic, Vce = 2mA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | >110Ic, Vce = 2mA, 5V | 
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора  | UCE-sat  | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | 
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора  | fh21  | <300 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <300 МГц | <100 МГц | <300 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <300 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <300 МГц | <200 МГц | <100 МГц | <300 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <200 МГц | <100 МГц | <300 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <300 МГц | <200 МГц | <100 МГц | <300 МГц | <250 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | 
Структура биполярного транзистора  | Структура  | NPN | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора  | Ifrc  | <15 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <100 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <15 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <100 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <15 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <100 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |