BC848

BC848, BC848A-7-F, BC848AE6327, BC848ALT1, BC848ALT1G, BC848AMTF, BC848A-TP, BC848AW-7-F, BC848B,215, BC848B,235, BC848B-7-F, BC848BE6327, BC848BE6433, BC848BL3E6327, BC848BLT1, BC848BLT1G, BC848BLT3G, BC848BMTF, BC848BT116, BC848B-TP, BC848BW-7-F, BC848BWE6327, BC848BWT1, BC848BWT106, BC848BWT1G, BC848C-7-F, BC848CB6327, BC848CE6327, BC848CE6433, BC848CLT1, BC848CLT1G, BC848CMTF, BC848CT116, BC848C-TP, BC848CW-7-F, BC848CWE6327, BC848CWT1G, BC848W,115, BC848W,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC848A-7-FBC848AE6327BC848ALT1BC848ALT1GBC848AMTFBC848A-TPBC848AW-7-FBC848B,215BC848B,235BC848B-7-FBC848BE6327BC848BE6433BC848BL3E6327BC848BLT1BC848BLT1GBC848BLT3GBC848BMTFBC848BT116BC848B-TPBC848BW-7-FBC848BWE6327BC848BWT1BC848BWT106BC848BWT1GBC848C-7-FBC848CB6327BC848CE6327BC848CE6433BC848CLT1BC848CLT1GBC848CMTFBC848CT116BC848C-TPBC848CW-7-FBC848CWE6327BC848CWT1GBC848W,115BC848W,135
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SC-70-3, SOT-323-3SOT-323SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SC-70-3, SOT-323-3SOT-323SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
Diodes IncInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorMicro Commercial CoDiodes IncNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsDiodes IncInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoDiodes IncInfineon TechnologiesON SemiconductorRohm SemiconductorON SemiconductorDiodes IncInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorRohm SemiconductorMicro Commercial CoDiodes IncInfineon TechnologiesON SemiconductorNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<225 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<300 мВт<330 мВт<330 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<350 мВт<225 мВт<200 мВт<250 мВт<225 мВт<200 мВт<225 мВт<300 мВт<330 мВт<330 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<350 мВт<225 мВт<200 мВт<250 мВт<225 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>220Ic, Vce = 2mA, 5V>140Ic, Vce = 10µA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>330Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>480Ic, Vce = 10µA, 5V>480Ic, Vce = 10µA, 5V>480Ic, Vce = 10µA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>480Ic, Vce = 10µA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<500 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<90 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<300 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<300 МГц<100 МГц<300 МГц<100 МГц<100 МГц<300 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<300 МГц<200 МГц<100 МГц<300 МГц<250 МГц<100 МГц<200 МГц<100 МГц<300 МГц<250 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<300 МГц<200 МГц<100 МГц<300 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN
Ток отсечки коллектора
Ifrc
<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<100 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)