На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | КТ3129А-9 | КТ3129Б-9 | КТ3129В-9 | КТ3129Г-9 | КТ3129Д-9 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Импульсный ток коллектора транзистора | IC-i | <200 мА | ||||
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера | UCBO | <50 В | <50 В | <30 В | <30 В | <20 В |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | <50 В | <30 В | <30 В | <20 В |
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <75 мВт | ||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | 30 ~ 120 | 80 ~ 250 | 80 ~ 250 | 200 ~ 500 | 200 ~ 500 |
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open | ICB-R | <1 мкА | ||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <200 МГц | ||||
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||