КТ3129

КТ3129, КТ3129А-9, КТ3129Б-9, КТ3129В-9, КТ3129Г-9, КТ3129Д-9

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		КТ3129А-9	КТ3129Б-9	КТ3129В-9	КТ3129Г-9	КТ3129Д-9
Импульсный ток коллектора транзистора	I_C-i	<200 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_CBO	<50 В	<50 В	<30 В	<30 В	<20 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<50 В	<50 В	<30 В	<30 В	<20 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<75 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	30 ~ 120	80 ~ 250	80 ~ 250	200 ~ 500	200 ~ 500
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open	I_CB-R	<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<200 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP