КТ3130

КТ3130, КТ3130А-9, КТ3130Б-9, КТ3130В-9, КТ3130Г-9, КТ3130Д-9, КТ3130Е-9, КТ3130Ж-9, КТ3130-9

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		КТ3130А-9	КТ3130Б-9	КТ3130В-9	КТ3130Г-9	КТ3130Д-9	КТ3130Е-9	КТ3130Ж-9	КТ3130-9
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_CBO	<50 В	<50 В	<30 В	<20 В	<30 В	<20 В	<30 В	(не задано)
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<50 В	<50 В	<30 В	<20 В	<30 В	<20 В	<30 В	(не задано)
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<100 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	100 ~ 250	200 ~ 500	200 ~ 500	400 ~ 1000	200 ~ 500	400 ~ 1000	100 ~ 500	(не задано)
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open	I_CB-R	<100 нА	<100 нА	<100 нА	<50.1 мкА	<100 нА	<100 нА	<100 нА	(не задано)
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<150 МГц
Коэффициент шума	N_F	<10 дБ	<10 дБ	<10 дБ	<10 дБ	<10 дБ	<4 дБ	<4 дБ	(не задано)
Структура биполярного транзистора	Структура	NPN