KSC945

KSC945

KSC945, KSC945CGBU, KSC945CGTA, KSC945CLTA, KSC945COTA, KSC945CYBU, KSC945CYTA, KSC945GBU, KSC945GTA, KSC945LBU, KSC945LTA, KSC945OBU, KSC945OTA, KSC945YBU, KSC945YTA

NPN Epitaxial Silicon transistor

Описание

NPN Epitaxial Silicon transistor. Complementary to KSA733.

Features:

  • Audio Frequency Amplifier and High-Frequency OSC
  • High Current Gain Bandwith Product: 300 MHz (Typical)

Marking

Transistors marked as C945. Suffic "-C" means Center Collector (1. Emitter, 2. Collector, 3. Base)

Параметры

ПараметрKSC945CGBUKSC945CGTAKSC945CLTAKSC945COTAKSC945CYBUKSC945CYTAKSC945GBUKSC945GTAKSC945LBUKSC945LTAKSC945OBUKSC945OTAKSC945YBUKSC945YTA
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<150 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 1mA, 6V>200Ic, Vce = 1mA, 6V>350Ic, Vce = 1mA, 6V>70Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>200Ic, Vce = 1mA, 6V>200Ic, Vce = 1mA, 6V>350Ic, Vce = 1mA, 6V>350Ic, Vce = 1mA, 6V>70Ic, Vce = 1mA, 6V>70Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V>120Ic, Vce = 1mA, 6V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<300 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN