NPN Epitaxial Silicon transistor. Complementary to KSA733.
Features:
Transistors marked as C945. Suffic "-C" means Center Collector (1. Emitter, 2. Collector, 3. Base)
Параметр | KSC945CGBU | KSC945CGTA | KSC945CLTA | KSC945COTA | KSC945CYBU | KSC945CYTA | KSC945GBU | KSC945GTA | KSC945LBU | KSC945LTA | KSC945OBU | KSC945OTA | KSC945YBU | KSC945YTA | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | |||||||||||||
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <150 мА | |||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <250 мВт | |||||||||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >200Ic, Vce = 1mA, 6V | >200Ic, Vce = 1mA, 6V | >350Ic, Vce = 1mA, 6V | >70Ic, Vce = 1mA, 6V | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | >200Ic, Vce = 1mA, 6V | >200Ic, Vce = 1mA, 6V | >350Ic, Vce = 1mA, 6V | >350Ic, Vce = 1mA, 6V | >70Ic, Vce = 1mA, 6V | >70Ic, Vce = 1mA, 6V | >120Ic, Vce = 1mA, 6V | >120Ic, Vce = 1mA, 6V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <300 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | |||||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <300 МГц | |||||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN |