КТ361

КТ361, КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Г1, КТ361Д, КТ361Е, КТ361Ж, КТ361И, КТ361К

Высокочастотный маломощный кремниевый транзистор для работы в усилителях высокой частоты

Описание

Кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы общего применения в пластмассовом корпусе. Область применения: низкочастотные, среднечастотные, высокочастотные усилители, элементы логики и генераторы электрических сигналов.

Комплементарная пара: КТ315. Вид климатического исполнения УХЛ.

Из-за некоторых особенностей меза-планарной технологии, надежность КТ361 несколько ниже, чем у КТ315. У КТ361 меньше допустимый ток коллектора и при работе в режимах, аналогичных КТ315 они выходят из строя несколько чаще.

Маркировка

Особенности маркировки - на корпусе указывается только буква, при этом она печатается посередине корпуса. Товарный знак завода отсутствует (для НИИ ПП вместо знака завода могут ставиться штрихи слева и справа от буквы, см. паспорт). Дата выпуска ставится в цифровом, либо в кодированном обозначении (при этом могут указывать только год выпуска).

Дополнительной точкой маркируются транзисторы повышенной надежности.

Параметры

Параметр		КТ361А	КТ361Б	КТ361В	КТ361Г	КТ361Г1	КТ361Д	КТ361Е	КТ361Ж	КТ361И	КТ361К
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<50 мА
Напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера	U_CBO	<25 В	<20 В	<40 В	<35 В	<35 В	<40 В	<35 В	<10 В	<15 В	<60 В
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<25 В	<20 В	<40 В	<35 В	<35 В	<40 В	<35 В	<10 В	<15 В	<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<150 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	20 ~ 90	50 ~ 350	40 ~ 160	50 ~ 350	100 ~ 350	20 ~ 90	50 ~ 350	50 ~ 350	>250	50 ~ 350
Collector reverse current. Current through the collector junction at a given reverse collector-base voltage and emitter open	I_CB-R	<1 мкА
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<250 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP