Доход от майнинга

BC856

BC856, BC856,215, BC856A,215, BC856A-7-F, BC856AE6327, BC856ALT1, BC856ALT1G, BC856ALT3, BC856ALT3G, BC856AMTF, BC856AT,115, BC856A-TP, BC856AW,115, BC856AW,135, BC856AW-7-F, BC856B,215, BC856B,235, BC856B-7-F, BC856BE6327, BC856BE6433, BC856BLT1, BC856BLT1G, BC856BLT3, BC856BLT3G, BC856BMTF, BC856BT,115, BC856B-TP, BC856BW,115, BC856BW,135, BC856BW-7-F, BC856BWE6327, BC856BWE6433, BC856BWT1G, BC856CMTF, BC856T,115, BC856W,115, BC856W,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC856,215BC856A,215BC856A-7-FBC856AE6327BC856ALT1BC856ALT1GBC856ALT3BC856ALT3GBC856AMTFBC856AT,115BC856A-TPBC856AW,115BC856AW,135BC856AW-7-FBC856B,215BC856B,235BC856B-7-FBC856BE6327BC856BE6433BC856BLT1BC856BLT1GBC856BLT3BC856BLT3GBC856BMTFBC856BT,115BC856B-TPBC856BW,115BC856BW,135BC856BW-7-FBC856BWE6327BC856BWE6433BC856BWT1GBC856CMTFBC856T,115BC856W,115BC856W,135
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SOT-23SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-323SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3SOT-23SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SOT-23SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3SOT-323SOT-323SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3EMT3 (SOT-416, SC-75-3)SC-70-3, SOT-323-3SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsDiodes IncInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsMicro Commercial CoNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsDiodes IncNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsDiodes IncInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsMicro Commercial CoNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsDiodes IncInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesON SemiconductorFairchild SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<65 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт<250 мВт<300 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<150 мВт<310 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<300 мВт<330 мВт<330 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<310 мВт<150 мВт<310 мВт<250 мВт<250 мВт<200 мВт<250 мВт<250 мВт<225 мВт<310 мВт<250 мВт<200 мВт<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>140Ic, Vce = 10µA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>110Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>200Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>250Ic, Vce = 10µA, 5V>220Ic, Vce = 2mA, 5V>420Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V>125Ic, Vce = 2mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 500µA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<300 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<650 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц<100 МГц<200 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<150 МГц<100 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<150 МГц<100 МГц<200 МГц<100 МГц<100 МГц<200 МГц<250 МГц<250 МГц<100 МГц<150 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP
Ток отсечки коллектора
Ifrc
(не задано)(не задано)<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)<15 нА(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)