Біполярні транзистори - Elcomps.com
Всього знайдено 18470 компонентів
ЗображенняІм'яICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
Від
До
<1.2 А
<1.2 А
<1.2 А
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>20Ic, Vce = 10mA, 5V
>20000Ic, Vce = 10mA, 5V
>20000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1 ВIb, Ic = 10µA, 10mA
<1 ВIb, Ic = 10µA, 10mA
<1 ВIb, Ic = 10µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<1.2 А
<1.2 А
<1.2 А
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<1.2 А
<1.2 А
<1.2 А
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<200 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<45 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>400Ic, Vce = 10µA, 5V
>500Ic, Vce = 10mA, 5V
>500Ic, Vce = 10mA, 5V
<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
<160 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>40Ic, Vce = 5mA, 10V
>40Ic, Vce = 5mA, 10V
>40Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 нА
<500 нА
<500 нА
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.2 ВIb, Ic = 10mA, 10mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 нА
<500 нА
<500 нА
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.2 ВIb, Ic = 10mA, 10mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 нА
<500 нА
<500 нА
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<300 В
<300 В
<300 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
 
 
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<200 мА
<200 мА
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>50Ic, Vce = 30mA, 10V
>50Ic, Vce = 30mA, 10V
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<400 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<400 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
 
 
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Крізь отвір
Крізь отвір
Крізь отвір
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor