MPSA13

MPSA13, MPSA13_D26Z, MPSA13_D27Z, MPSA13_D74Z, MPSA13_D75Z, MPSA13DI, MPSA13G, MPSA13RA, MPSA13RLRA, MPSA13RLRAG, MPSA13RLRM, MPSA13RLRMG, MPSA13RLRP, MPSA13RLRPG, MPSA13ZL1, MPSA13ZL1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPSA13_D26ZMPSA13_D27ZMPSA13_D74ZMPSA13_D75ZMPSA13DIMPSA13GMPSA13RAMPSA13RLRAMPSA13RLRAGMPSA13RLRMMPSA13RLRMGMPSA13RLRPMPSA13RLRPGMPSA13ZL1MPSA13ZL1G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorDiodes IncON SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1.2 А<1.2 А<1.2 А<1.2 А<1.2 А<500 мА<1.2 А<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<1.5 Вт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington