MPSA18_D27Z

MPSA18, MPSA18_D26Z, MPSA18_D27Z, MPSA18_D74Z, MPSA18_D75Z, MPSA18G, MPSA18RLRA, MPSA18RLRAG, MPSA18RLRM, MPSA18RLRMG, MPSA18RLRP, MPSA18RLRPG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPSA18_D26ZMPSA18_D27ZMPSA18_D74ZMPSA18_D75ZMPSA18GMPSA18RLRAMPSA18RLRAGMPSA18RLRMMPSA18RLRMGMPSA18RLRPMPSA18RLRPG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<100 мА<100 мА<100 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<45 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>500Ic, Vce = 10mA, 5V>500Ic, Vce = 10mA, 5V>500Ic, Vce = 10mA, 5V>500Ic, Vce = 10mA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V>400Ic, Vce = 10µA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<300 мВIb, Ic = 5mA, 50mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA<200 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<160 МГц<160 МГц<160 МГц<160 МГц<160 МГц<160 МГц<160 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN