MPSA29_D26Z

MPSA29, MPSA29_D26Z, MPSA29_D27Z, MPSA29_D75Z, MPSA29G, MPSA29RLRP, MPSA29RLRPG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPSA29_D26ZMPSA29_D27ZMPSA29_D75ZMPSA29GMPSA29RLRPMPSA29RLRPG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<800 мА<800 мА<800 мА<500 мА<500 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<100 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA<1.2 ВIb, Ic = 10mA, 10mA<1.2 ВIb, Ic = 10mA, 10mA<1.2 ВIb, Ic = 10mA, 10mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<125 МГц<125 МГц<125 МГц<200 МГц<200 МГц<200 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Струм відсічення колектора
Ifrc
<500 нА