MPSA14_D26Z

MPSA14, MPSA14,116, MPSA14_D26Z, MPSA14_D27Z, MPSA14_D74Z, MPSA14_D75Z, MPSA14DI, MPSA14G, MPSA14RLRA, MPSA14RLRAG, MPSA14RLRP, MPSA14RLRPG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPSA14,116MPSA14_D26ZMPSA14_D27ZMPSA14_D74ZMPSA14_D75ZMPSA14DIMPSA14GMPSA14RLRAMPSA14RLRAGMPSA14RLRPMPSA14RLRPG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorDiodes IncON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<500 мА<1.2 А<1.2 А<1.2 А<1.2 А<100 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<30 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<1.5 Вт<625 мВт<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V>10000Ic, Vce = 10mA, 5V>10000Ic, Vce = 10mA, 5V>10000Ic, Vce = 10mA, 5V>10000Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>10000Ic, Vce = 10mA, 5V>10000Ic, Vce = 10mA, 5V>10000Ic, Vce = 100mA, 5V>10000Ic, Vce = 10mA, 5V>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington