MPSA43_D27Z

MPSA43, MPSA43,116, MPSA43_D26Z, MPSA43_D27Z, MPSA43_D74Z, MPSA43_D75Z, MPSA43G, MPSA43RLRAG, MPSA43ZL1G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPSA43,116MPSA43_D26ZMPSA43_D27ZMPSA43_D74ZMPSA43_D75ZMPSA43GMPSA43RLRAGMPSA43ZL1G
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
NXP SemiconductorsFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<100 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<500 мА<500 мА<500 мА
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<200 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<500 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>25Ic, Vce = 1mA, 10V>50Ic, Vce = 30mA, 10V>50Ic, Vce = 30mA, 10V>50Ic, Vce = 30mA, 10V>50Ic, Vce = 30mA, 10V>25Ic, Vce = 1mA, 10V>25Ic, Vce = 1mA, 10V>25Ic, Vce = 1mA, 10V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<400 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<400 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<400 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<400 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
Гранична частота коефіцієнта передачі струму біполярного транзистора
fh21
<50 МГц
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN