MPSA12

MPSA12, MPSA12_D26Z, MPSA12_D27Z, MPSA12_D74Z, MPSA12_D75Z, MPSA12G, MPSA12RLRA, MPSA12RLRAG, MPSA12RLRP, MPSA12RLRPG

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрMPSA12_D26ZMPSA12_D27ZMPSA12_D74ZMPSA12_D75ZMPSA12GMPSA12RLRAMPSA12RLRAGMPSA12RLRPMPSA12RLRPG
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Постійний струм колектора транзистора
IC
<1.2 А
Напруга між колектором і емітером транзистора при розімкнутому ланцюзі бази і заданому струмі емітера
UCEO
<20 В
Постійна потужність, що може розсіюватись на колекторі транзистора
PC
<625 мВт
Статичний коефіціент передачі струму біполярного транзистора
hFE
>20000Ic, Vce = 10mA, 5V>20000Ic, Vce = 10mA, 5V>20000Ic, Vce = 10mA, 5V>20000Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V>20Ic, Vce = 10mA, 5V
Напруга насичення між колектором і емітером транзистора
UCE-sat
<1 ВIb, Ic = 10µA, 10mA
Структура біполярного транзистора
Структура
NPN Darlington
Струм відсічення колектора
Ifrc
<100 нА