Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
От
До
BC637
BC637_D26Z
BC637_D27Z
▾
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<1 Вт
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
>40Ic, Vce = 150mA, 2V
>40Ic, Vce = 150mA, 2V
>40Ic, Vce = 150mA, 2V
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
BC638
BC638,112
BC638,116
▾
<500 мА
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<625 мВт
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
>40Ic, Vce = 150mA, 2V
>63Ic, Vce = 150mA, 2V
>63Ic, Vce = 150mA, 2V
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
BC639
BC639_D26Z
BC639_D27Z
▾
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<1 Вт
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
>40Ic, Vce = 150mA, 2V
>40Ic, Vce = 150mA, 2V
>40Ic, Vce = 150mA, 2V
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
BC63916
BC63916_D26Z
BC63916_D27Z
▾
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<1 Вт
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
>100Ic, Vce = 150mA, 2V
>100Ic, Vce = 150mA, 2V
>100Ic, Vce = 150mA, 2V
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
BC640
BC640_J35Z
BC640_J61Z
▾
<500 мА
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<625 мВт
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
>40Ic, Vce = 5mA, 2V
>40Ic, Vce = 150mA, 2V
>40Ic, Vce = 150mA, 2V
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
BC807
BC807-16-7
BC807-16-7-F
▾
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<45 В
 
<310 мВт
<310 мВт
 
 
 
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
 
Diodes Inc
Diodes Inc
BC80716
BC80716MTF
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<310 мВт
<310 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
BC80725
BC80725MTF
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<310 мВт
<310 мВт
 
 
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
>160Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
BC80740
BC80740MTF
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<310 мВт
<310 мВт
 
 
>250Ic, Vce = 100mA, 1V
>250Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
BC80816
BC80816MTF
<800 мА
<800 мА
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<310 мВт
<310 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor