BC638

BC638, BC638,112, BC638,116, BC638,126, BC638BU, BC638G, BC638TA, BC638TF, BC638TFR, BC638ZL1, BC638ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC638,112BC638,116BC638,126BC638BUBC638GBC638TABC638TFBC638TFRBC638ZL1BC638ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<1 А<1 А<1 А<1 А<500 мА<1 А<1 А<1 А<500 мА<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<60 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<830 мВт<830 мВт<830 мВт<1 Вт<625 мВт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<625 мВт<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<150 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<150 МГц<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP