На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC639,112 | BC639,116 | BC639,126 | BC639-16ZL1 | BC639-16ZL1G | BC639_D26Z | BC639_D27Z | BC639_D74Z | BC639_D75Z | BC639_D81Z | BC639G | BC639_J35Z | BC639_L34Z | BC639RL1 | BC639RL1G | BC639ZL1 | BC639ZL1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||||||||||||
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | ||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В | ||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <830 мВт | <830 мВт | <830 мВт | <625 мВт | <800 мВт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <1 Вт | <625 мВт | <800 мВт | <625 мВт | <800 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >63Ic, Vce = 5mA, 2V | >63Ic, Vce = 5mA, 2V | >63Ic, Vce = 5mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >100Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | >40Ic, Vce = 150mA, 2V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | ||||||||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <180 МГц | <180 МГц | <180 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <200 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||||||||||