BC640_J61Z

BC640, BC640-016G, BC640,112, BC640,116, BC640,126, BC640BU, BC640G, BC640_J35Z, BC640_J61Z, BC640TA, BC640TAR, BC640TF, BC640TFR, BC640ZL1, BC640ZL1G

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC640-016GBC640,112BC640,116BC640,126BC640BUBC640GBC640_J35ZBC640_J61ZBC640TABC640TARBC640TFBC640TFRBC640ZL1BC640ZL1G
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
ON SemiconductorNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsNXP SemiconductorsFairchild SemiconductorON SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorFairchild SemiconductorON SemiconductorON Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА<1 А<1 А<1 А<1 А<500 мА<1 А<1 А<1 А<1 А<1 А<1 А<500 мА<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<80 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<625 мВт<830 мВт<830 мВт<830 мВт<1 Вт<625 мВт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<1 Вт<625 мВт<625 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>100Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>63Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 5mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 150mA, 2V>40Ic, Vce = 5mA, 2V>40Ic, Vce = 5mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц<145 МГц<145 МГц<145 МГц<100 МГц<150 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<100 МГц<150 МГц<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP