BC807-16-7

BC807, BC807-16,215, BC807-16,235, BC807-16-7, BC807-16-7-F, BC807-16E6327, BC807-16E6433, BC807-16LT1G, BC807-16LT3, BC807-16LT3G, BC807-16-TP, BC807-16W,115, BC807-16W,135, BC807-16W-7, BC807-16WE6327, BC807,215, BC807-25,215, BC807-25,235, BC807-25-7, BC807-25-7-F, BC807-25B5003, BC807-25E6327, BC807-25E6433, BC807-25LT1, BC807-25LT1G, BC807-25LT3, BC807-25LT3G, BC807-25-TP, BC807-25W,115, BC807-25W,135, BC807-25W-7, BC807-25WE6327, BC807-40,215, BC807-40,235, BC807-40-7, BC807-40-7-F, BC807-40B5003, BC807-40E6327, BC807-40E6433, BC807-40LT1, BC807-40LT1G, BC807-40LT3G, BC807-40-TP, BC807-40W,115, BC807-40W,135, BC807-40W-7, BC807-40WE6327, BC807-40WE6433, BC807W,115, BC807W,135

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр		BC807-16,215	BC807-16,235	BC807-16-7	BC807-16-7-F	BC807-16E6327	BC807-16E6433	BC807-16LT1G	BC807-16LT3	BC807-16LT3G	BC807-16-TP	BC807-16W,115	BC807-16W,135	BC807-16W-7	BC807-16WE6327	BC807,215	BC807-25,215	BC807-25,235	BC807-25-7	BC807-25-7-F	BC807-25B5003	BC807-25E6327	BC807-25E6433	BC807-25LT1	BC807-25LT1G	BC807-25LT3	BC807-25LT3G	BC807-25-TP	BC807-25W,115	BC807-25W,135	BC807-25W-7	BC807-25WE6327	BC807-40,215	BC807-40,235	BC807-40-7	BC807-40-7-F	BC807-40B5003	BC807-40E6327	BC807-40E6433	BC807-40LT1	BC807-40LT1G	BC807-40LT3G	BC807-40-TP	BC807-40W,115	BC807-40W,135	BC807-40W-7	BC807-40WE6327	BC807-40WE6433	BC807W,115	BC807W,135
Корпус микросхемы	Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SOT-23	SOT-23	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3	SOT-23	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3	SOT-323	SOT-323	SC-70-3, SOT-323-3	SC-70-3, SOT-323-3
Производитель	Производитель	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Diodes Inc	Infineon Technologies	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Micro Commercial Co	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Infineon Technologies	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Diodes Inc	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Micro Commercial Co	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Infineon Technologies	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Diodes Inc	Infineon Technologies	Infineon Technologies	Infineon Technologies	ON Semiconductor	ON Semiconductor	ON Semiconductor	Micro Commercial Co	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors	Diodes Inc	Infineon Technologies	Infineon Technologies	NXP Semiconductors	NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему	Монтаж	Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора	I_C	<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера	U_CEO	<45 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора	P_C	<250 мВт	<250 мВт	<310 мВт	<310 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<250 мВт	<250 мВт	<250 мВт	<250 мВт	<310 мВт	<310 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<250 мВт	<250 мВт	<250 мВт	<310 мВт	<310 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<330 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<225 мВт	<300 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<200 мВт	<250 мВт	<250 мВт	<200 мВт	<200 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора	hFE	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>160Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>250Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V	>100Ic, Vce = 100mA, 1V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора	U_CE-sat	<700 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора	f_h21	<80 МГц	<80 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<80 МГц	<80 МГц	<100 МГц	<200 МГц	<80 МГц	<80 МГц	<80 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<80 МГц	<80 МГц	<100 МГц	<200 МГц	<80 МГц	<80 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<100 МГц	<80 МГц	<80 МГц	<100 МГц	<200 МГц	<200 МГц	<80 МГц	<80 МГц
Структура биполярного транзистора	Структура	PNP
Ток отсечки коллектора	I_frc	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<200 нА	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<200 нА	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<100 нА	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	<200 нА	(не задано)	(не задано)	<100 нА	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)