На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC637_D26Z | BC637_D27Z | BC637_D75Z | BC637G | BC637_J35Z | BC637_L34Z | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||
Производитель | Производитель | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <1 А | |||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <60 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <1 Вт | |||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 150mA, 2V | |||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <500 мВIb, Ic = 50mA, 500mA | |||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <200 МГц | <100 МГц | <100 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||