Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<400 мА
<400 мА
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<200 мВт
<200 мВт
 
 
>300Ic, Vce = 10mA, 2V
>300Ic, Vce = 10mA, 2V
<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<200 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
 
 
 
 
<380 МГц
<380 МГц
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
<4 А
 
 
<325 В
<40 Вт
 
>1000Ic, Vce = 3A, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 5mA, 2A
 
 
 
 
 
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
TO-220-3 (Straight Leads)
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<600 мВт
<600 мВт
 
 
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
<120 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<120 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
<690 МГц
<690 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
 
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
<45 В
<45 В
<300 мВт
<300 мВт
 
 
>200Ic, Vce = 2mA, 5V
>200Ic, Vce = 2mA, 5V
<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-18
TO-18
STMicroelectronics
STMicroelectronics
<1 А
<1 А
<1 А
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<650 мВт
<650 мВт
<650 мВт
 
 
 
 
>63Ic, Vce = 100µA, 1V
>100Ic, Vce = 100mA, 1V
<1 ВIb, Ic = 100mA, 1A
<1 ВIb, Ic = 100mA, 1A
<1 ВIb, Ic = 100mA, 1A
 
 
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
TO-39-3, TO-205AD, Металлическая банка
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>40Ic, Vce = 10µA, 5V
>120Ic, Vce = 2mA, 5V
>120Ic, Vce = 2mA, 5V
<250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<15 нА
<15 нА
<15 нА
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
ON Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>40Ic, Vce = 10µA, 5V
>40Ic, Vce = 10µA, 5V
>40Ic, Vce = 10µA, 5V
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 10µA, 5V
>100Ic, Vce = 10µA, 5V
>100Ic, Vce = 10µA, 5V
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<300 мА
<300 мА
<300 мА
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>40Ic, Vce = 10µA, 5V
>40Ic, Vce = 10µA, 5V
>40Ic, Vce = 10µA, 5V
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<625 мВт
<625 мВт
<625 мВт
 
 
 
>40Ic, Vce = 10µA, 5V
>40Ic, Vce = 10µA, 5V
>40Ic, Vce = 10µA, 5V
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<200 МГц
<200 МГц
<200 МГц
 
 
 
 
 
 
PNP
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
В отверстия
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor