50A02MH

50A02MH, 50A02MH-TL-E

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

Параметр50A02MH-TL-E
Производитель
Производитель
SANYO Semiconductor (U.S.A) Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<50 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<600 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>200Ic, Vce = 10mA, 2V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<120 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<690 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
PNP