На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC212B | BC212B_D26Z | BC212B_D27Z | BC212BG | BC212B_J35Z | BC212BRL1 | BC212BRL1G | BC212_D26Z | BC212_D27Z | BC212_D74Z | BC212_D75Z | BC212_J35Z | BC212L | BC212LB | BC212LB_D74Z | BC212LB_J35Z | BC212L_D27Z | BC212L_D75Z | BC212L_J35Z | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | ||||||||||||||||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | ||||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <300 мА | <300 мА | <300 мА | <300 мА | <300 мА | <300 мА | <100 мА | <100 мА | <100 мА | <300 мА | <300 мА | <300 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | ||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <625 мВт | <625 мВт | <625 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >60Ic, Vce = 2mA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >60Ic, Vce = 2mA, 5V | >60Ic, Vce = 2mA, 5V | >60Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | ||||||||||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <280 МГц | (не задано) | (не задано) | <280 МГц | (не задано) | <280 МГц | <280 МГц | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <200 МГц | (не задано) | (не задано) | (не задано) | <200 МГц | <200 МГц | <200 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | PNP | ||||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <15 нА | (не задано) | (не задано) | <15 нА | (не задано) | <15 нА | <15 нА | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |