BC183

BC183, BC183C, BC183C_J35Z, BC183_D26Z, BC183_D27Z, BC183_D75Z, BC183_J35Z, BC183LC, BC183LC_D27Z, BC183LC_J35Z

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC183CBC183C_J35ZBC183_D26ZBC183_D27ZBC183_D75ZBC183_J35ZBC183LCBC183LC_D27ZBC183LC_J35Z
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>120Ic, Vce = 2mA, 5V>120Ic, Vce = 2mA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V>40Ic, Vce = 10µA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN