BC184_J35Z

BC184, BC184C, BC184C_J35Z, BC184_D27Z, BC184_J35Z, BC184L, BC184_L34Z, BC184LC, BC184LC_D27Z, BC184LC_J35Z, BC184LC_L34Z, BC184L_D27Z, BC184L_J35Z

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBC184CBC184C_J35ZBC184_D27ZBC184_J35ZBC184LBC184_L34ZBC184LCBC184LC_D27ZBC184LC_J35ZBC184LC_L34ZBC184L_D27ZBC184L_J35Z
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
Fairchild Semiconductor
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<500 мА<500 мА<100 мА<100 мА<500 мА<100 мА<200 мА<200 мА<200 мА<200 мА<500 мА<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<350 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<625 мВт<350 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>250Ic, Vce = 2mA, 5V>250Ic, Vce = 2mA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V>100Ic, Vce = 10µA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA<250 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<150 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN