На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BC182A | BC182AG | BC182B | BC182B_D26Z | BC182BG | BC182B_J35Z | BC182BRL1 | BC182BRL1G | BC182_D26Z | BC182_D27Z | BC182_D74Z | BC182G | BC182_J35Z | BC182L | BC182LA | BC182LA_J35Z | BC182LB | BC182LB_D27Z | BC182LB_D74Z | BC182LB_D75Z | BC182LB_J35Z | BC182L_D27Z | BC182L_D74Z | BC182L_D75Z | BC182L_J35Z | BC182_ND74Z | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | |||||||||||||||||||||||||
Производитель | Производитель | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | ON Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | В отверстия | |||||||||||||||||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <100 мА | |||||||||||||||||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <50 В | |||||||||||||||||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <350 мВт | |||||||||||||||||||||||||
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >180Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >40Ic, Vce = 10µA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V | >120Ic, Vce = 2mA, 5V |
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <250 мВIb, Ic = 500µA, 10mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA | <600 мВIb, Ic = 5mA, 100mA |
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | <100 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <100 МГц | <150 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <100 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <100 МГц | <100 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц | <150 МГц |
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | |||||||||||||||||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <15 нА | |||||||||||||||||||||||||