MOSFET - Elcomps.com
Всего найдено 22554 компонентов
ИзображениеИмяСерияQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологияКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
 
 
SIPMOS®
 
 
3.57 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<230 мВт
<360 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.5 пФVds = 10V
78 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<10 В
<60 В
 
<50 мА
<330 мА
 
 
 
 
 
 
 
N-ch
P-ch
 
<45 ОмId, Vgs = 100ВµA, 10V
<2 ОмId, Vgs = 330mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
SOT-143, SOT-143B, TO-253AA
SOT-23
 
NXP Semiconductors
Infineon Technologies
 
 
 
1.3 нCVgs = 5V
1.3 нCVgs = 5V
1.3 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<360 мВт
<360 мВт
<300 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
73 пФVds = 25V
73 пФVds = 25V
45 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<130 мА
<130 мА
<130 мА
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc
 
TrenchMOS™
SIPMOS®
 
 
5.5 нCVgs = 10V
 
Standard
Logic Level Gate
 
 
 
<1 Вт
<1 Вт
<1 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
120 пФVds = 25V
97 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<240 В
 
<400 мА
<260 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<3 ОмId, Vgs = 400mA, 10V
<6 ОмId, Vgs = 260mA, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
 
SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab)
SOT-89
 
NXP Semiconductors
Infineon Technologies
TrenchMOS™
TrenchMOS™
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
 
 
 
40 пФVds = 10V
40 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<190 мА
<190 мА
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<10 ОмId, Vgs = 150mA, 5V
<10 ОмId, Vgs = 150mA, 5V
 
 
В отверстия
В отверстия
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
TrenchMOS™
TrenchMOS™
TrenchMOS™
 
 
 
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<830 мВт
<830 мВт
<830 мВт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
40 пФVds = 10V
40 пФVds = 10V
40 пФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<190 мА
<190 мА
<190 мА
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<10 ОмId, Vgs = 150mA, 5V
<10 ОмId, Vgs = 150mA, 5V
<10 ОмId, Vgs = 150mA, 5V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
OptiMOS™
OptiMOS™
5.7 нCVgs = 4.5V
5.7 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<560 мВт
<560 мВт
 
 
 
 
 
 
228 пФVds = 15V
228 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<1.5 А
<1.5 А
 
 
 
 
P-ch
P-ch
<175 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
<175 мОмId, Vgs = 1.5A, 4.5V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
56 нCVgs = 10V
74 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<69 Вт
<69 Вт
<69 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
4.4 нФVds = 15V
5.7 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<40 А
<40 А
<40 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<3.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<3.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<3.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
8-TSDSON
8-TSDSON
8-TSDSON
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
64 нCVgs = 10V
64 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
<69 Вт
<69 Вт
 
 
 
 
 
 
5.1 нФVds = 20V
5.1 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<4 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-TSDSON
8-TSDSON
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
46 нCVgs = 10V
46 нCVgs = 10V
Standard
Standard
 
 
<69 Вт
<69 Вт
 
 
 
 
 
 
3.7 нФVds = 20V
3.7 нФVds = 20V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 А
<40 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<4.2 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<4.2 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
Поверхностный
Поверхностный
8-TSDSON
8-TSDSON
Infineon Technologies
Infineon Technologies
OptiMOS™
OptiMOS™
OptiMOS™
 
35 нCVgs = 10V
46 нCVgs = 10V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
 
<50 Вт
<48 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
2.8 нФVds = 15V
3.6 нФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<40 А
<40 А
<40 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
 
<5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
<4.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
8-TSDSON
8-TSDSON
8-TSDSON
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies