BST72

BST72, BST72A,112

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBST72A,112
Корпус микросхемы
Корпус
TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Производитель
Производитель
NXP Semiconductors
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
В отверстия
Мощность
P
<830 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
40 пФVds = 10V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<100 В
Постоянный ток стока
IDSS
<190 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
N-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<10 ОмId, Vgs = 150mA, 5V
Серия MOSFET
Серия
TrenchMOS™
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate