На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSS87,115 | BSS87E6327 | BSS87E6327T | BSS87E6433 | BSS87L6327 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SC-62, SOT-89, MPT3 (3 leads + Tab) | SOT-89 | SOT-89 | SOT-89 | SOT-89 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||
Мощность | P | <1 Вт | ||||
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 120 пФVds = 25V | 97 пФVds = 25V | 97 пФVds = 25V | 97 пФVds = 25V | 97 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <200 В | <240 В | <240 В | <240 В | <240 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <400 мА | <260 мА | <260 мА | <260 мА | <260 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | ||||
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <3 ОмId, Vgs = 400mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 260mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 260mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 260mA, 10V | <6 ОмId, Vgs = 260mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | TrenchMOS™ | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® | SIPMOS® |
Заряд затвора | QG | (не задано) | 5.5 нCVgs = 10V | 5.5 нCVgs = 10V | 5.5 нCVgs = 10V | 5.5 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |