На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSS83,215 | BSS83PE6327 | BSS83PL6327 | |
|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-143, SOT-143B, TO-253AA | SOT-23 | SOT-23 |
Производитель | Производитель | NXP Semiconductors | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||
Мощность | P | <230 мВт | <360 мВт | <360 мВт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 1.5 пФVds = 10V | 78 пФVds = 25V | 78 пФVds = 25V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <10 В | <60 В | <60 В |
Постоянный ток стока | IDSS | <50 мА | <330 мА | <330 мА |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | P-ch | P-ch |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <45 ОмId, Vgs = 100ВµA, 10V | <2 ОмId, Vgs = 330mA, 10V | <2 ОмId, Vgs = 330mA, 10V |
Серия MOSFET | Серия | (не задано) | SIPMOS® | SIPMOS® |
Заряд затвора | QG | (не задано) | 3.57 нCVgs = 10V | 3.57 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||