На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | BSZ050N03LSG | BSZ050N03MSG | |
|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | 8-TSDSON | |
Производитель | Производитель | Infineon Technologies | |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |
Мощность | P | <50 Вт | <48 Вт |
Входная емкость полевого транзистора | C11 | 2.8 нФVds = 15V | 3.6 нФVds = 15V |
Постоянное напряжение между стоком и истоком | UDSS | <30 В | |
Постоянный ток стока | IDSS | <40 А | |
Тип канала полевого транзистора | Канал | N-ch | |
Сопротивление канала в открытом состоянии | RDS-ON | <5 мОмId, Vgs = 20A, 10V | <4.5 мОмId, Vgs = 20A, 10V |
Серия MOSFET | Серия | OptiMOS™ | |
Заряд затвора | QG | 35 нCVgs = 10V | 46 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |