BSS84-7

BSS84, BSS84,215, BSS84-7, BSS84-7-F, BSS84_D87Z, BSS84LT1, BSS84LT1G, BSS84P-E6327, BSS84PE6433, BSS84PL6327, BSS84PL6433, BSS84PW, BSS84PWL6327, BSS84TA, BSS84TC, BSS84W-7, BSS84W-7-F

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрBSS84,215BSS84-7BSS84-7-FBSS84_D87ZBSS84LT1BSS84LT1GBSS84P-E6327BSS84PE6433BSS84PL6327BSS84PL6433BSS84PWBSS84PWL6327BSS84TABSS84TCBSS84W-7BSS84W-7-F
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-323SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-323SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsDiodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesInfineon TechnologiesDiodes/ZetexDiodes/ZetexDiodes IncDiodes Inc
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Мощность
P
<250 мВт<300 мВт<300 мВт<360 мВт<225 мВт<225 мВт<360 мВт<360 мВт<360 мВт<360 мВт<300 мВт<300 мВт<360 мВт<360 мВт<200 мВт<200 мВт
Входная емкость полевого транзистора
C11
45 пФVds = 25V45 пФVds = 25V45 пФVds = 25V73 пФVds = 25V30 пФVds = 5V30 пФVds = 5V19 пФVds = 25V19 пФVds = 25V19 пФVds = 25V19 пФVds = 25V19.1 пФVds = 25V19.1 пФVds = 25V40 пФVds = 25V40 пФVds = 25V45 пФVds = 25V45 пФVds = 25V
Постоянное напряжение между стоком и истоком
UDSS
<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<50 В<60 В<60 В<60 В<60 В<60 В<60 В<50 В<50 В<50 В<50 В
Постоянный ток стока
IDSS
<130 мА<130 мА<130 мА<130 мА<130 мА<130 мА<170 мА<170 мА<170 мА<170 мА<150 мА<150 мА<130 мА<130 мА<130 мА<130 мА
Тип канала полевого транзистора
Канал
P-ch
Сопротивление канала в открытом состоянии
RDS-ON
<10 ОмId, Vgs = 130mA, 10V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<8 ОмId, Vgs = 170mA, 10V<8 ОмId, Vgs = 170mA, 10V<8 ОмId, Vgs = 170mA, 10V<8 ОмId, Vgs = 170mA, 10V<8 ОмId, Vgs = 150mA, 10V<8 ОмId, Vgs = 150mA, 10V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V<10 ОмId, Vgs = 100mA, 5V
Серия MOSFET
Серия
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)SIPMOS®SIPMOS®SIPMOS®SIPMOS®SIPMOS®SIPMOS®(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)
Заряд затвора
QG
1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.5 нCVgs = 10V1.5 нCVgs = 10V1.5 нCVgs = 10V1.5 нCVgs = 10V1.5 нCVgs = 10V1.5 нCVgs = 10V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V1.3 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateLogic Level GateStandardStandardLogic Level GateLogic Level Gate