MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
59 нCVgs = 10V
59 нCVgs = 10V
59 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<91 Вт
<91 Вт
<91 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.69 нФVds = 25V
1.69 нФVds = 25V
1.69 нФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<35 А
<35 А
<35 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<28.5 мОмId, Vgs = 21A, 10V
<28.5 мОмId, Vgs = 21A, 10V
<28.5 мОмId, Vgs = 21A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
58 нCVgs = 10V
58 нCVgs = 10V
58 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<66 Вт
<66 Вт
<66 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
760 пФVds = 25V
760 пФVds = 25V
760 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<13 А
<13 А
<13 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<205 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
<205 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
<205 мОмId, Vgs = 7.8A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
32 нCVgs = 10V
32 нCVgs = 10V
32 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<57 Вт
<57 Вт
<57 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
650 пФVds = 25V
650 пФVds = 25V
650 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<55 В
<55 В
<55 В
<18 А
<18 А
<18 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<110 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V
<110 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V
<110 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
66 нCVgs = 10V
66 нCVgs = 10V
66 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<110 Вт
<110 Вт
<110 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
860 пФVds = 25V
860 пФVds = 25V
860 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<150 В
<150 В
<150 В
<13 А
<13 А
<13 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<295 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V
<295 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V
<295 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
9.1 нCVgs = 10V
9.1 нCVgs = 10V
9.1 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<25 Вт
<25 Вт
<25 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
240 пФVds = 25V
240 пФVds = 25V
240 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<5.3 А
<5.3 А
<5.3 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<500 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V
<500 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V
<500 мОмId, Vgs = 2.8A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
HEXFET®
 
12 нCVgs = 10V
12 нCVgs = 10V
12 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
270 пФVds = 25V
270 пФVds = 25V
270 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<5.1 А
<5.1 А
<5.1 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<500 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
<500 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
<500 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
14 нCVgs = 10V
14 нCVgs = 10V
14 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<42 Вт
<42 Вт
<42 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
490 пФVds = 25V
490 пФVds = 25V
490 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<50 В
<50 В
<50 В
<9.9 А
<9.9 А
<9.9 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<280 мОмId, Vgs = 5.7A, 10V
<280 мОмId, Vgs = 5.7A, 10V
<280 мОмId, Vgs = 5.7A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
HEXFET®
HEXFET®
19 нCVgs = 10V
19 нCVgs = 10V
19 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2.5 Вт
<38 Вт
<38 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
570 пФVds = 25V
350 пФVds = 25V
350 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<55 В
<55 В
<8.8 А
<11 А
<11 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<280 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V
<175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V
<175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
8.7 нCVgs = 10V
8.7 нCVgs = 10V
8.7 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
200 пФVds = 25V
200 пФVds = 25V
200 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<3.1 А
<3.1 А
<3.1 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<1.2 ОмId, Vgs = 1.9A, 10V
<1.2 ОмId, Vgs = 1.9A, 10V
<1.2 ОмId, Vgs = 1.9A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
Vishay/Siliconix
 
HEXFET®
HEXFET®
18 нCVgs = 10V
27 нCVgs = 10V
27 нCVgs = 10V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2.5 Вт
<40 Вт
<40 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
390 пФVds = 25V
350 пФVds = 25V
350 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<5.6 А
<6.6 А
<6.6 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V
<480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V
<480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
International Rectifier
International Rectifier