На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR9014N | IRFR9014NTR | IRFR9014NTRL | IRFR9014NTRR | IRFR9014PBF | IRFR9014TR | IRFR9014TRL | IRFR9014TRPBF | IRFR9014TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||||
Потужність | P | <2.5 Вт | ||||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 270 пФVds = 25V | ||||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | ||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <5.1 А | ||||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <500 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | ||||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 12 нCVgs = 10V | ||||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||||