На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR5505CPBF | IRFR5505CTRLPBF | IRFR5505GTRPBF | IRFR5505PBF | IRFR5505TR | IRFR5505TRL | IRFR5505TRLPBF | IRFR5505TRPBF | IRFR5505TRR | IRFR5505TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||||
Потужність | P | <57 Вт | |||||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 650 пФVds = 25V | |||||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <18 А | |||||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |||||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <110 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V | |||||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||||||
Заряд затвору | QG | 32 нCVgs = 10V | |||||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||||||