IRFR9120N

IRFR9120, IRFR9120N, IRFR9120NCPBF, IRFR9120NPBF, IRFR9120NTR, IRFR9120NTRL, IRFR9120NTRLPBF, IRFR9120NTRPBF, IRFR9120NTRR, IRFR9120NTRRPBF, IRFR9120PBF, IRFR9120TR, IRFR9120TRL, IRFR9120TRLPBF, IRFR9120TRPBF, IRFR9120TRR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		IRFR9120N	IRFR9120NCPBF	IRFR9120NPBF	IRFR9120NTR	IRFR9120NTRL	IRFR9120NTRLPBF	IRFR9120NTRPBF	IRFR9120NTRR	IRFR9120NTRRPBF	IRFR9120PBF	IRFR9120TR	IRFR9120TRL	IRFR9120TRLPBF	IRFR9120TRPBF	IRFR9120TRR
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<40 Вт	<40 Вт	<40 Вт	<40 Вт	<40 Вт	<40 Вт	<40 Вт	<40 Вт	<40 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	350 пФVds = 25V	390 пФVds = 25V	390 пФVds = 25V	390 пФVds = 25V	390 пФVds = 25V	390 пФVds = 25V	390 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<100 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<6.6 А	<6.6 А	<6.6 А	<6.6 А	<6.6 А	<6.6 А	<6.6 А	<6.6 А	<6.6 А	<5.6 А	<5.6 А	<5.6 А	<5.6 А	<5.6 А	<5.6 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	P-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<480 мОмId, Vgs = 3.9A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V	<600 мОмId, Vgs = 3.4A, 10V
Серія MOSFET	Серія	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Заряд затвору	Q_G	27 нCVgs = 10V	27 нCVgs = 10V	27 нCVgs = 10V	27 нCVgs = 10V	27 нCVgs = 10V	27 нCVgs = 10V	27 нCVgs = 10V	27 нCVgs = 10V	27 нCVgs = 10V	18 нCVgs = 10V	18 нCVgs = 10V	18 нCVgs = 10V	18 нCVgs = 10V	18 нCVgs = 10V	18 нCVgs = 10V
FET Feature	FET Feature	Standard