На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR9024N | IRFR9024NCPBF | IRFR9024NCTRPBF | IRFR9024NPBF | IRFR9024NTR | IRFR9024NTRL | IRFR9024NTRLPBF | IRFR9024NTRPBF | IRFR9024NTRR | IRFR9024NTRRPBF | IRFR9024PBF | IRFR9024TR | IRFR9024TRL | IRFR9024TRPBF | IRFR9024TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | ||||||||||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||||||||||
Потужність | P | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <38 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 350 пФVds = 25V | 570 пФVds = 25V | 570 пФVds = 25V | 570 пФVds = 25V | 570 пФVds = 25V | 570 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <55 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <11 А | <8.8 А | <8.8 А | <8.8 А | <8.8 А | <8.8 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | ||||||||||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <175 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 5.3A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 19 нCVgs = 10V | ||||||||||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||||||||||