На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFR6215CPBF | IRFR6215PBF | IRFR6215TR | IRFR6215TRL | IRFR6215TRLPBF | IRFR6215TRPBF | IRFR6215TRR | IRFR6215TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||
Потужність | P | <110 Вт | |||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 860 пФVds = 25V | |||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <150 В | |||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <13 А | |||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <295 мОмId, Vgs = 6.6A, 10V | |||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||||
Заряд затвору | QG | 66 нCVgs = 10V | |||||||
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||||