MOSFET - Elcomps.com
Всього знайдено 22554 компонентів
ЗображенняІм'яСеріяQGFET FeatureNFPS1-S2/II01-I02IGC11C12C22U0UGDUGSUDSSIDSSPHSТехнологіяКаналRDS-ONIDSS-IМонтажКорпусВиробник
  
Від
До
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
8.8 нCVgs = 4.5V
8.8 нCVgs = 4.5V
8.8 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<1.7 Вт
<1.7 Вт
<1.7 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
210 пФVds = 15V
210 пФVds = 15V
210 пФVds = 15V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<2.4 А
<2.4 А
<2.4 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<200 мОмId, Vgs = 1.6A, 4.5V
<200 мОмId, Vgs = 1.6A, 4.5V
<200 мОмId, Vgs = 1.6A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro6™(TSOP-6)
Micro6™(TSOP-6)
Micro6™(TSOP-6)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
16 нCVgs = 5V
16 нCVgs = 5V
16 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2 Вт
<2 Вт
<2 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
1.079 нФVds = 10V
1.079 нФVds = 10V
1.079 нФVds = 10V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<20 В
<20 В
<20 В
<5.6 А
<5.6 А
<5.6 А
 
 
 
 
 
 
P-ch
P-ch
P-ch
<50 мОмId, Vgs = 5.1A, 4.5V
<50 мОмId, Vgs = 5.1A, 4.5V
<50 мОмId, Vgs = 5.1A, 4.5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
Micro6™(TSOP-6)
Micro6™(TSOP-6)
Micro6™(TSOP-6)
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier
 
HEXFET®
HEXFET®
8.4 нCVgs = 5V
7.9 нCVgs = 5V
7.9 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<28 Вт
<28 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
400 пФVds = 25V
265 пФVds = 25V
265 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<55 В
<55 В
<7.7 А
<10 А
<10 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V
<140 мОмId, Vgs = 6A, 10V
<140 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
International Rectifier
International Rectifier
 
HEXFET®
HEXFET®
18 нCVgs = 5V
15 нCVgs = 5V
15 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<45 Вт
<45 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
870 пФVds = 25V
480 пФVds = 25V
480 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<60 В
<55 В
<55 В
<14 А
<17 А
<17 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V
<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V
<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
International Rectifier
International Rectifier
 
 
 
6.1 нCVgs = 5V
8 нCVgs = 5V
8 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
250 пФVds = 25V
235 пФVds = 25V
235 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<4.3 А
<4.7 А
<4.7 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V
<440 мОмId, Vgs = 2.35A, 5V
<440 мОмId, Vgs = 2.35A, 5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
HEXFET®
12 нCVgs = 5V
15 нCVgs = 5V
20 нCVgs = 5V
Logic Level Gate
Standard
Logic Level Gate
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<48 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
490 пФVds = 25V
440 пФVds = 25V
440 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<100 В
<7.7 А
<8.4 А
<10 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V
<220 мОмId, Vgs = 4.2A, 5V
<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Vishay/Siliconix
Fairchild Semiconductor
International Rectifier
 
 
24 нCVgs = 5V
24 нCVgs = 5V
Standard
Standard
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
755 пФVds = 25V
755 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 В
<100 В
<13 А
<13 А
 
 
 
 
N-ch
N-ch
<120 мОмId, Vgs = 6.5A, 5V
<120 мОмId, Vgs = 6.5A, 5V
 
 
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
9 нCVgs = 5V
9 нCVgs = 5V
9 нCVgs = 5V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
240 пФVds = 25V
240 пФVds = 25V
240 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<2.7 А
<2.7 А
<2.7 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<1.5 ОмId, Vgs = 1.35A, 5V
<1.5 ОмId, Vgs = 1.35A, 5V
<1.5 ОмId, Vgs = 1.35A, 5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
 
 
 
27 нCVgs = 5V
27 нCVgs = 5V
27 нCVgs = 5V
Standard
Standard
Standard
 
 
 
<2.5 Вт
<2.5 Вт
<2.5 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
755 пФVds = 25V
755 пФVds = 25V
755 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<200 В
<200 В
<200 В
<7.5 А
<7.5 А
<7.5 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<400 мОмId, Vgs = 3.75A, 5V
<400 мОмId, Vgs = 3.75A, 5V
<400 мОмId, Vgs = 3.75A, 5V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
HEXFET®
HEXFET®
HEXFET®
15 нCVgs = 4.5V
15 нCVgs = 4.5V
15 нCVgs = 4.5V
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Logic Level Gate
 
 
 
<45 Вт
<45 Вт
<45 Вт
 
 
 
 
 
 
 
 
 
450 пФVds = 25V
450 пФVds = 25V
450 пФVds = 25V
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<23 А
<23 А
<23 А
 
 
 
 
 
 
N-ch
N-ch
N-ch
<45 мОмId, Vgs = 14A, 10V
<45 мОмId, Vgs = 14A, 10V
<45 мОмId, Vgs = 14A, 10V
 
 
 
Поверхневий
Поверхневий
Поверхневий
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
International Rectifier
International Rectifier
International Rectifier