На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLR110ATF | IRLR110ATM | IRLR110PBF | IRLR110TR | IRLR110TRL | IRLR110TRLPBF | IRLR110TRPBF | IRLR110TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||
Потужність | P | <2.5 Вт | |||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 235 пФVds = 25V | 235 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V | 250 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <4.7 А | <4.7 А | <4.3 А | <4.3 А | <4.3 А | <4.3 А | <4.3 А | <4.3 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <440 мОмId, Vgs = 2.35A, 5V | <440 мОмId, Vgs = 2.35A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V | <540 мОмId, Vgs = 2.6A, 5V |
Заряд затвору | QG | 8 нCVgs = 5V | 8 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V | 6.1 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||||