IRLR014N

IRLR014, IRLR014N, IRLR014NPBF, IRLR014NTR, IRLR014NTRL, IRLR014NTRLPBF, IRLR014NTRPBF, IRLR014NTRR, IRLR014NTRRPBF, IRLR014PBF, IRLR014TR, IRLR014TRL, IRLR014TRPBF, IRLR014TRR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		IRLR014N	IRLR014NPBF	IRLR014NTR	IRLR014NTRL	IRLR014NTRLPBF	IRLR014NTRPBF	IRLR014NTRR	IRLR014NTRRPBF	IRLR014PBF	IRLR014TR	IRLR014TRL	IRLR014TRPBF	IRLR014TRR
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<28 Вт	<28 Вт	<28 Вт	<28 Вт	<28 Вт	<28 Вт	<28 Вт	<28 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	265 пФVds = 25V	265 пФVds = 25V	265 пФVds = 25V	265 пФVds = 25V	265 пФVds = 25V	265 пФVds = 25V	265 пФVds = 25V	265 пФVds = 25V	400 пФVds = 25V	400 пФVds = 25V	400 пФVds = 25V	400 пФVds = 25V	400 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<140 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<140 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<140 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<140 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<140 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<140 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<140 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<140 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V
Серія MOSFET	Серія	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	HEXFET®
Заряд затвору	Q_G	7.9 нCVgs = 5V	7.9 нCVgs = 5V	7.9 нCVgs = 5V	7.9 нCVgs = 5V	7.9 нCVgs = 5V	7.9 нCVgs = 5V	7.9 нCVgs = 5V	7.9 нCVgs = 5V	8.4 нCVgs = 5V	8.4 нCVgs = 5V	8.4 нCVgs = 5V	8.4 нCVgs = 5V	8.4 нCVgs = 5V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate