IRLR120N

IRLR120, IRLR120ATF, IRLR120N, IRLR120NPBF, IRLR120NTR, IRLR120NTRL, IRLR120NTRLPBF, IRLR120NTRPBF, IRLR120NTRR, IRLR120NTRRPBF, IRLR120PBF, IRLR120TR, IRLR120TRL, IRLR120TRLPBF, IRLR120TRPBF, IRLR120TRR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		IRLR120ATF	IRLR120N	IRLR120NPBF	IRLR120NTR	IRLR120NTRL	IRLR120NTRLPBF	IRLR120NTRPBF	IRLR120NTRR	IRLR120NTRRPBF	IRLR120PBF	IRLR120TR	IRLR120TRL	IRLR120TRLPBF	IRLR120TRPBF	IRLR120TRR
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	Fairchild Semiconductor	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<2.5 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<48 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	440 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V	490 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<100 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<8.4 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<10 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А	<7.7 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<220 мОмId, Vgs = 4.2A, 5V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<185 мОмId, Vgs = 6A, 10V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V	<270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V
Серія MOSFET	Серія	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)
Заряд затвору	Q_G	15 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	20 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V	12 нCVgs = 5V
FET Feature	FET Feature	Standard	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate