На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLR2703PBF | IRLR2703TR | IRLR2703TRL | IRLR2703TRLPBF | IRLR2703TRPBF | IRLR2703TRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||
Потужність | P | <45 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 450 пФVds = 25V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <23 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <45 мОмId, Vgs = 14A, 10V | |||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||
Заряд затвору | QG | 15 нCVgs = 4.5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||