IRLR024

IRLR024, IRLR024N, IRLR024NPBF, IRLR024NTR, IRLR024NTRL, IRLR024NTRLPBF, IRLR024NTRPBF, IRLR024NTRR, IRLR024NTRRPBF, IRLR024PBF, IRLR024TR, IRLR024TRL, IRLR024TRPBF, IRLR024TRR, IRLR024Z, IRLR024ZPBF, IRLR024ZTRLPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

Параметр		IRLR024N	IRLR024NPBF	IRLR024NTR	IRLR024NTRL	IRLR024NTRLPBF	IRLR024NTRPBF	IRLR024NTRR	IRLR024NTRRPBF	IRLR024PBF	IRLR024TR	IRLR024TRL	IRLR024TRPBF	IRLR024TRR	IRLR024Z	IRLR024ZPBF	IRLR024ZTRLPBF
Корпус мікросхеми	Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Виробник	Виробник	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	Vishay/Siliconix	International Rectifier	International Rectifier	International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Поверхневий
Потужність	P	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<45 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<2.5 Вт	<35 Вт	<35 Вт	<35 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	480 пФVds = 25V	870 пФVds = 25V	870 пФVds = 25V	870 пФVds = 25V	870 пФVds = 25V	870 пФVds = 25V	380 пФVds = 25V	380 пФVds = 25V	380 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<55 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<60 В	<55 В	<55 В	<55 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<17 А	<17 А	<17 А	<17 А	<17 А	<17 А	<17 А	<17 А	<14 А	<14 А	<14 А	<14 А	<14 А	<16 А	<16 А	<16 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<65 мОмId, Vgs = 10A, 10V	<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V	<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V	<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V	<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V	<100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V	<58 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V	<58 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V	<58 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V
Серія MOSFET	Серія	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	(не задано)	(не задано)	(не задано)	(не задано)	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®	HEXFET®
Заряд затвору	Q_G	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	15 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 5V	18 нCVgs = 5V	9.9 нCVgs = 5V	9.9 нCVgs = 5V	9.9 нCVgs = 5V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate