Биполярные транзисторы - Elcomps.com
Всего найдено 18470 компонентов
ИзображениеИмяICIC-iUCBOUCEOPCPC-ihFEUCE-satICB-RICE-rRfh21tCNFСтруктураUCBO-iPC-HSUCEO-iUBE-satCCCEIfrcМонтажКорпусПроизводитель
  
От
До
От
До
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<25 В
<25 В
<25 В
<225 мВт
<225 мВт
<225 мВт
 
 
 
>300Ic, Vce = 2mA, 10V
>300Ic, Vce = 2mA, 10V
>300Ic, Vce = 2mA, 10V
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
<500 мВIb, Ic = 5mA, 50mA
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<1 А
<1 А
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<540 мВт
<540 мВт
 
 
>100Ic, Vce = 500mA, 2V
>100Ic, Vce = 500mA, 2V
<250 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
<250 мВIb, Ic = 50mA, 500mA
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
PNP
PNP
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
6-TSOP
6-TSOP
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<225 мВт
<225 мВт
<225 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
>100Ic, Vce = 1mA, 5V
<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
<400 мВIb, Ic = 5mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<150 МГц
<150 МГц
<150 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<60 В
<60 В
<60 В
<350 мВт
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc
Diodes Inc
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<350 мВт
<350 мВт
<350 мВт
 
 
 
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
>100Ic, Vce = 10mA, 1V
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
<250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<100 МГц
<100 МГц
<100 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<100 нА
<100 нА
<100 нА
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
<1.2 А
<1.2 А
<300 мА
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<350 мВт
<350 мВт
<300 мВт
 
 
 
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc
<1.2 А
<1.2 А
<300 мА
 
 
 
 
 
 
<30 В
<30 В
<30 В
<350 мВт
<350 мВт
<300 мВт
 
 
 
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc
<100 мА
<100 мА
<100 мА
 
 
 
 
 
 
<40 В
<40 В
<40 В
<225 мВт
<225 мВт
<225 мВт
 
 
 
>40Ic, Vce = 5mA, 10V
>40Ic, Vce = 5mA, 10V
>40Ic, Vce = 5mA, 10V
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
<250 мВIb, Ic = 1mA, 10mA
 
 
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<80 В
<80 В
<80 В
<300 мВт
<300 мВт
<300 мВт
 
 
 
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
>10000Ic, Vce = 10mA, 5V
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
 
 
 
 
 
 
<125 МГц
<125 МГц
<125 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN Darlington
NPN Darlington
NPN Darlington
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
<500 нА
<500 нА
<500 нА
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Diodes Inc
Diodes Inc
Diodes Inc
<500 мА
<500 мА
<500 мА
 
 
 
 
 
 
<300 В
<300 В
<300 В
<350 мВт
<240 мВт
<300 мВт
 
 
 
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
 
 
 
 
 
 
<50 МГц
<50 МГц
<50 МГц
 
 
 
 
 
 
NPN
NPN
NPN
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Поверхностный
Поверхностный
Поверхностный
SOT-23-3
SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
STMicroelectronics
Fairchild Semiconductor
Diodes Inc