На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBTA14-7 | MMBTA14-7-F | MMBTA14_D87Z | MMBTA14LT1 | MMBTA14LT1G | MMBTA14-TP | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes Inc | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | ON Semiconductor | Micro Commercial Co |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | |||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <300 мА | <300 мА | <1.2 А | <300 мА | <300 мА | <300 мА |
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <30 В | |||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <350 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >10000Ic, Vce = 10mA, 5V | |||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA | |||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <125 МГц | |||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN Darlington | |||||