На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.
Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.
| Параметр | MMBTA06-7 | MMBTA06-7-F | MMBTA06_D87Z | MMBTA06_L98Z | MMBTA06LT1 | MMBTA06LT1G | MMBTA06LT3 | MMBTA06LT3G | MMBTA06-TP | MMBTA06WT1 | MMBTA06WT1G | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус микросхемы | Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3 | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SC-70-3, SOT-323-3 |
Производитель | Производитель | Diodes Inc | Diodes Inc | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Infineon Technologies | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor | Micro Commercial Co | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
Тип монтажа компонента на плату или в схему | Монтаж | Поверхностный | ||||||||||
Постоянный ток коллектора транзистора | IC | <500 мА | ||||||||||
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера | UCEO | <80 В | ||||||||||
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора | PC | <300 мВт | <300 мВт | <350 мВт | <350 мВт | <330 мВт | <225 мВт | <225 мВт | <300 мВт | <300 мВт | <150 мВт | <150 мВт |
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора | hFE | >100Ic, Vce = 10mA, 1V | ||||||||||
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора | UCE-sat | <250 мВIb, Ic = 10mA, 100mA | ||||||||||
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора | fh21 | <100 МГц | ||||||||||
Структура биполярного транзистора | Структура | NPN | ||||||||||
Ток отсечки коллектора | Ifrc | <100 нА | ||||||||||