MMBTA13_D87Z

MMBTA13, MMBTA13-7, MMBTA13-7-F, MMBTA13_D87Z, MMBTA13LT1, MMBTA13LT1G, MMBTA13LT3G, MMBTA13-TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBTA13-7MMBTA13-7-FMMBTA13_D87ZMMBTA13LT1MMBTA13LT1GMMBTA13LT3GMMBTA13-TP
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3, SOT-23
Производитель
Производитель
Diodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<300 мА<300 мА<1.2 А<300 мА<300 мА<300 мА<300 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<30 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<300 мВт<300 мВт<350 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5000Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V>5Ic, Vce = 10mA, 5V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<1.5 ВIb, Ic = 100µA, 100mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<125 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN Darlington