MMBTA42

MMBTA42, MMBTA42,215, MMBTA42-7, MMBTA42-7-F, MMBTA42_D87Z, MMBTA42LT1, MMBTA42LT1G, MMBTA42LT3, MMBTA42LT3G, MMBTA42-TP

На этой странице планируется добавить данные в ближайшем будущем.

Если Вы заинтереснованы в этой информации, пожалуйста, нажмите кнопку "Проголосовать". Это даст нам знать, какую информацию добавить в первую очередь. С одного IP-адреса принимается до 10 голосов в сутки.

Описание

Параметры

ПараметрMMBTA42,215MMBTA42-7MMBTA42-7-FMMBTA42_D87ZMMBTA42LT1MMBTA42LT1GMMBTA42LT3MMBTA42LT3GMMBTA42-TP
Корпус микросхемы
Корпус
SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3SOT-23-3, SOT-23
Производитель
Производитель
NXP SemiconductorsDiodes IncDiodes IncFairchild SemiconductorInfineon TechnologiesON SemiconductorON SemiconductorON SemiconductorMicro Commercial Co
Тип монтажа компонента на плату или в схему
Монтаж
Поверхностный
Постоянный ток коллектора транзистора
IC
<100 мА<500 мА<500 мА<500 мА<500 мА<50 мА<50 мА<50 мА<500 мА
Напряжение между коллектором и эмиттером транзистора при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера
UCEO
<300 В
Постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора
PC
<250 мВт<300 мВт<300 мВт<240 мВт<360 мВт<225 мВт<225 мВт<225 мВт<300 мВт
Cтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора
hFE
>25Ic, Vce = 1mA, 10V
Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора
UCE-sat
<500 мВIb, Ic = 2mA, 20mA
Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора
fh21
<50 МГц<50 МГц<50 МГц<50 МГц<70 МГц<50 МГц<50 МГц<50 МГц<50 МГц
Структура биполярного транзистора
Структура
NPN